若要以矽(Si)與砷化鎵(GaAs)材料實現基地台、相位陣列雷達等RF應用，勢必得增加額外的散熱、保護晶片元件，而氮化鎵(GaN)適合高功率應用的材料特性，將可望解決這個問題，進一步推升RF應用元件的整合度。
穩懋半導體研發處處長王文凱表示，目前矽、砷化鎵在RF應用上已遇到製程與材料的雙重瓶頸。對於應用日新月異的需求，有越來越多客戶希望半導體材料能支援更大的功率、更高的頻率，雖從矽到砷化鎵的階段，著實已擴展了材料可支援的功率與頻率，但在下個階段，氮化鎵將會在RF應用上有大幅度的進展。
王文凱進一步表示，目前穩懋的客戶已經將砷化鎵應用於75~85GHz毫米波通訊上，但可惜的是，砷化鎵無法在高頻時維持同樣水準的功率，因當該材料進入到較高的頻率時，必定會損失一些功率密度，這讓應用的傳輸距離受到限制。這個問題讓產業開始尋找適合高頻、高功率應用的新材料。
雖現階段氮化鎵製程仍比較貴，但氮化鎵可實現的材料效率，卻比明顯橫向擴散金屬氧化物半導體(Lateral Diffused MOS, LDMOS)來得高。由於在4G/5G無線通訊基地台等需求上，材料效率是非常重要的，若綜合整體基地台成本來考量，氮化鎵製程的精進便有其必要性。具體而言，如今基地台的RF功率則為100~200W，這樣的高功率需求，若採用LDMOS等效率較差的材料，晶片元件將須搭配散熱模組，在設計晶片時也不容易提升功能整合度。
除了基地台，在相位陣列雷達(Phased Array Radar)中，RF功率傳遞則須仰賴射頻前端模組(Front-end Module)，其包括了高功率PA、LNA、開關(Switch)。王文凱指出，由於過往的PA、LNA是以砷化鎵為材料，而Switch則因不適合以砷化鎵為材料，故採用其他的磁性材料進行保護。此外，當天線的功率太高，將可能導致雜訊放大，因此還要搭配限制器進行保護。如此一來，射頻前端模組的組成便顯得相當複雜。
目前一個相位陣列雷達，共須要由上千個此類型的射頻前端模組來組成，而上述的混合型材料對雷達組裝的簡化與縮小外觀尺寸，顯然是不利的。有鑑於此，若能透過氮化鎵材料來達成固態式Switch，將可順利使射頻前端模組，全面進化成採用氮化鎵製程的集成電路，不再須要因考量到材料特性的不同，將Switch製程進行額外分割。此外，一旦當相位陣列雷達的密度越高，其可以偵測的物體大小與精確度也將因此提高。
